Das global agierende Unternehmen AIXTRON eröffnete im Dezember 2024 am Firmensitz in Herzogenrath sein neues Innovationszentrum – ein Jahr nach dem Spatenstich. Auf rund 1.000 Quadratmetern will AIXTRON die Entwicklung innovativer Technologien in der Halbleiterindustrie vorantreiben. Dafür investierte das Unternehmen mehrere Millionen Euro.
AIXTRON ist Technologieführer im GalliumNitrid (GaN)-Materialsystem, das aufgrund seiner überragenden Materialeigenschaften vermehrt in der Leistungselektronik zum Einsatz kommt. Das GaN steigert die Leistungsfähigkeit, z. B. von Ladegeräten in der Unterhaltungselektronik, und mit GaN-basierten Halbleiterbauelementen kann Strom aus erneuerbaren Energien effizient umgewandelt werden. Ferner ermöglichen sie eine energiesparende Stromversorgung von Servern und Rechenzentren. Dies hilft unter anderem bei Anwendungen für die künstliche Intelligenz, die viel Energie benötigen.
Neben Vertreterinnen und Vertretern aus Politik und Wirtschaft nahm auch NRW-Wirtschafts- und Klimaschutzministerin Mona Neubaur an der Eröffnung teil. Sie betonte, dass das neue Zentrum ein wichtiger Schritt in Richtung Klimaneutralität und zur Stärkung der Wettbewerbsfähigkeit der Region sei: „Unsere globale Wettbewerbsfähigkeit profitiert enorm von einer robusten heimischen Halbleiterproduktion, denn Halbleiter machen die Transformation hin zur Klimaneutralität erst möglich: Ohne sie läuft kein Computer, fährt kein Auto, können weder Wind- noch Solaranlagen Energie produzieren.“